坩埚最内表层是指透明层中最靠近内表面1-2mm的部分。图中表明了在使用过程中，坩埚对硅液起作用的机理--由于与硅液接触的内表面不断向硅液中熔解，并且伴随着透明层中的微气泡不断的长大，靠近最内表面的气泡破裂，伴随着硅液释放石英微颗粒以及微气泡。而这些杂质会以微颗粒以及微气泡的形式伴随着硅液流遍整个硅熔体，直接影响到硅的成晶（整棒率、成晶率、加热时间、直接加工成本等）以及单晶硅的质量（穿孔片、黑芯片等）。

普通坩埚，使用前内表面气泡较多，使用中内表面气泡不断破裂，直接污染硅熔体、影响单晶拉制，气泡破裂现象随着时间的增加愈加严重，无法满足长时间拉晶的需要。

高品质坩埚，使用前内表面基本无气泡，使用中内表面气泡破裂现象极少，为长时间拉晶（如多次复投料）提供保障。